RTP800V Rapid Thermal Processing

RTP800V Rapid Thermal Processing

● Temperature Range:150 - 1300 °C (1450 °C with optical pyrometer)

● Heating Rate:Adjustable, up to 200 °C/sec

● Temperature Uniformity:±3 °C across the entire temperature range (Dual thermocouple or multi-point optical temperature measurement)

● Chamber:

○ Sealed quartz chamber interior dimensions: 200mm.

○ Top-opening stainless steel chamber (Ceramic chamber, automatic wafer loading chamber optional)

● Maximum Sample Size:8-inch wafer, or 4 pieces of 4-inch wafers, or substrates ≤ 200x200 mm (e.g., solar cells)

● Control Software/Hardware:

○ Self-developed system software.

○ Supports SEMI automation standards, SECS/GEM communication interface.

○ Programmable temperature curves: Storage for 500+ recipes, each with 50+ segments.

○ Temperature setting range: 100-1300 °C.

○ Time setting range: 1 - 30,000 seconds.

○ Data exportable as text files for easy data processing.

● Maximum Cooling Rate:80 °C/sec

● Maximum Temperature Overshoot:< 2 °C (bare wafer), 0 °C (with wafer carrier)

● Cooling System:CDA (Clean Dry Air), Water cooling

● Temperature Control Accuracy:±0.3 °C

● Performance at 1200°C:Holding time > 600 seconds,

● Steady-state Temperature Stability: ±1 °C

● Light Source:Halogen Lamps

● Power Supply:380 V, 80 A

● Water Supply:Tap water or circulating water, pressure 1-3 kg/cm², flow rate 6-8 L/min

● Base Ultimate Vacuum:< 3 Pa (Molecular pump optional, can achieve 0.00001 Pa)

● Programmable Gas Delivery System:2 channels of MFC (Mass Flow Controller) (Expandable to a maximum of 6 channels)